Транзистор RTR040N03TL
RTR040N03TL - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSMT3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.048 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 5.9 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 18 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RTR040N03TL можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RQ5E040AJ |
SMD |
N |
1 |
30 |
12 |
1.5 |
4 |
0.037 |
4.3 |
5.9 |
55 |
150 |
TSMT3 |
| RTR040N03FRA |
SMD |
N |
1 |
30 |
12 |
1.5 |
4 |
0.048 |
5.9 |
18 |
120 |
150 |
TSMT3 |