Транзистор RU1H190S
RU1H190S - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-263
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 333 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 190 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0065 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 158 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 38 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 940 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор RU1H190S можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RU1H190R |
PTH |
N |
333 |
100 |
25 |
4 |
190 |
0.0065 |
158 |
38 |
940 |
175 |
TO-220 |