Транзистор RU1H35Q
RU1H35Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 111 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 40 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 76 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 250 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор RU1H35Q можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD4124 |
SMD |
N |
150 |
100 |
25 |
4 |
54 |
0.021 |
- |
9 |
164 |
175 |
TO-252 |
| RU1H35R |
PTH |
N |
111 |
100 |
25 |
4 |
40 |
0.025 |
- |
76 |
250 |
175 |
TO-220 |
| RU1H35S |
SMD |
N |
111 |
100 |
25 |
4 |
40 |
0.025 |
- |
76 |
250 |
175 |
TO-263 |