Транзистор RU1HE12L
RU1HE12L - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 40 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.7 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.16 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 14 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 75 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор RU1HE12L можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOD2916 |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
2.7 |
25 |
0.034 |
- |
3.5 |
68 |
175 |
TO-252 |
| AOT2916L |
PTH |
N |
41.5 |
100 |
20 |
2.7 |
23 |
0.034 |
- |
3.5 |
68 |
175 |
TO-220 |
| RU1HE16L |
SMD |
N |
50 |
100 |
20 |
2.7 |
16 |
0.09 |
- |
13 |
70 |
175 |
TO-252 |