Транзистор RU1HE3H
RU1HE3H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.7 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 40 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 95 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RU1HE3H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AOH3254 |
SMD |
N |
4.1 |
150 |
20 |
2.7 |
5 |
0.063 |
- |
37 |
78 |
150 |
SOT-223 |
| RU1HE3D |
SMD |
N |
2.5 |
100 |
20 |
2.7 |
3 |
0.145 |
- |
15 |
85 |
150 |
SOT-223 |
| RU1HE4D |
SMD |
N |
2.5 |
100 |
20 |
2.7 |
4 |
0.08 |
- |
7 |
46 |
150 |
SOT-223 |
| RU1HE4H |
SMD |
N |
2.5 |
100 |
20 |
2.7 |
4 |
0.075 |
- |
39 |
70 |
150 |
SOP-8 |