RU1Z200Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 600 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 200 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0065 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 390 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 205 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1420 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор RU1Z200Q можно заменить на:
Нет элементов для замены