Транзистор RU2020H
RU2020H - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOP-8
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 3.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0052 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 25 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1530 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RU2020H можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SIR800DP |
SMD |
N |
5.2 |
20 |
12 |
1.5 |
35.4 |
0.0023 |
89 |
8 |
1050 |
150 |
SO-8 |
| SIR802DP |
SMD |
N |
4.6 |
20 |
12 |
1.5 |
22.6 |
0.005 |
32 |
11 |
460 |
150 |
SO-8 |