Транзистор RU20E8H

RU20E8H - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOP-8

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2.5 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 8.8 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.016 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 65 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RU20E8H можно заменить на:

Нет элементов для замены