Транзистор RU2H50R
RU2H50R - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 312 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 60 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.043 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 160 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 70 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 620 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор RU2H50R можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RU2H50Q |
PTH |
N |
326 |
200 |
25 |
4 |
60 |
0.04 |
160 |
70 |
620 |
175 |
TO-247 |
| RU2H50S |
SMD |
N |
312 |
200 |
25 |
4 |
60 |
0.043 |
160 |
70 |
620 |
175 |
TO-263 |