Транзистор RU3040M
RU3040M - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: PDFN5X6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 4.2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 13 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.014 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 180 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RU3040M можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON6414A |
SMD |
N |
31 |
30 |
20 |
2.5 |
50 |
0.008 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6414AL |
SMD |
N |
31 |
30 |
20 |
2.5 |
50 |
0.008 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6520 |
SMD |
N |
31 |
30 |
20 |
2.5 |
50 |
0.0085 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6586 |
SMD |
N |
41 |
30 |
20 |
2.5 |
35 |
0.0075 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN5X6 |
| AON6596 |
SMD |
N |
41 |
30 |
20 |
2.5 |
35 |
0.0075 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN5X6 |
| AON7400A |
SMD |
N |
25 |
30 |
20 |
2.5 |
40 |
0.0075 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN3X3 |
| AON7430 |
SMD |
N |
23 |
30 |
20 |
2.5 |
34 |
0.012 |
- |
9 |
125 |
150 |
DFN3X3 |
| AON7466 |
SMD |
N |
25 |
30 |
25 |
2.5 |
30 |
0.0075 |
- |
2 |
180 |
150 |
DFN3X3 |
| AON7702B |
SMD |
N |
23 |
30 |
20 |
2.5 |
20 |
0.0095 |
- |
3 |
135 |
150 |
DFN3X3 |
| AOTF2610L |
PTH |
N |
31 |
60 |
20 |
2.5 |
35 |
0.0107 |
- |
3.5 |
177 |
175 |
TO-220F |
| AP4028GEMT |
SMD |
N |
5 |
30 |
20 |
2.5 |
18.6 |
0.009 |
- |
8 |
170 |
150 |
PMPAK5X6 |
| QM3014D |
SMD |
N |
37.5 |
30 |
20 |
2.5 |
43 |
0.012 |
9.8 |
8 |
131 |
175 |
TO-252 |
| QM4004D |
SMD |
N |
34.7 |
40 |
20 |
2.5 |
42 |
0.0115 |
10.7 |
3.4 |
120 |
150 |
TO-252 |