RU55200Q - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-247
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 326 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 55 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 200 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.004 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 160 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1100 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор RU55200Q можно заменить на:
Нет элементов для замены