Транзистор RU55L18L
RU55L18L - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 50 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.115 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 23 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 625 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор RU55L18L можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RU55L18R |
PTH |
P |
54 |
60 |
20 |
3 |
16 |
0.115 |
- |
23 |
625 |
175 |
TO-220 |
| SUD50P10-43L |
SMD |
P |
136 |
100 |
20 |
3 |
37.1 |
0.043 |
106 |
20 |
230 |
175 |
TO-252 |