Транзистор RU6581L
RU6581L - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 96 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 65 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 81 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.009 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 18 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 360 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц
Транзистор RU6581L можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| CS48N80 |
PTH |
N |
111 |
70 |
25 |
4 |
87 |
0.0058 |
76.1 |
14 |
350 |
175 |
TO-220 |
| RU6581R |
PTH |
N |
111 |
65 |
25 |
4 |
81 |
0.009 |
- |
18 |
360 |
175 |
TO-220 |
| RU6881R |
PTH |
N |
120 |
68 |
25 |
4 |
86 |
0.008 |
- |
16 |
340 |
175 |
TO-220 |
| RU6888S |
SMD |
N |
120 |
68 |
25 |
4 |
88 |
0.008 |
- |
15 |
340 |
175 |
TO-263 |