Транзистор RU6888M

RU6888M - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: PDFN5X6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 4.2 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 16 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.008 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 32 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 310 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RU6888M можно заменить на:

Нет элементов для замены