Справочник электронных компонентов

Транзистор RU6H7R

RU6H7R - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор RU6H7R можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AFN10N60T220T PTH N 150 600 30 4 10 1 19.38 60.4 135 150 TO-220
AFN10N65T220T PTH N 156 650 30 4 10 1 20 73.67 128.8 150 TO-220
AOB11S65 SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB11S65L SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB15S65 SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB15S65L SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB7S65 SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOB7S65L SMD N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-263
AOT11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT11S65L PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOW11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-262
AOW15S65 PTH N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-262
AOW7S65 PTH N 104 650 30 4 7 0.65 - 14 30 150 TO-262
AP65WN770P PTH N 138.8 650 30 4 10 0.77 - 36 80 150 TO-220
APQ07SN60AH PTH N 152 600 30 4 7 1.1 - 48 115 150 TO-220
CDM22010-650 PTH N 156 650 30 4 10 1 20 33 129 150 TO-220
CS8N60A8H PTH N 110 600 30 4 8 1.2 29 15 115 150 TO-220AB
FQI8N60CTU PTH N 147 600 30 4 7.5 1.2 28 60.5 105 150 I2PAK
MDP7N60BTH PTH N 131 600 30 4 7 1.15 - 27 90 150 TO-220
PJD7NA60 SMD N 140 600 30 4 7 1.2 - 58 105 150 TO-252AA
PJP7NA60 PTH N 145 600 30 4 7 1.2 - 58 105 150 TO-220AB
PJU7NA60 PTH N 140 600 30 4 7 1.2 - 58 105 150 TO-251AA
PNMTO600V8 PTH N 166 600 30 4 8 1.15 28.4 14 109 150 TO-220
SIHB12N65E SMD N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-263
SIHH11N60E SMD N 114 600 30 4 11 0.339 31 21 56 150 PowerPAK8X8
SIHH14N60E SMD N 147 600 30 4 16 0.255 41 21 74 150 PowerPAK8X8
SIHP12N65E PTH N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-220AB
TMP9N60 PTH N 158 600 30 4 9 1 27 39 123 150 TO-220