Справочник электронных компонентов

Транзистор RU6H9R

RU6H9R - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Основные характеристики:

Транзистор RU6H9R можно заменить на:

НАЗВАНИЕ ТИП СТР. Pd, Вт Vds, В Vgs, В Vgsth, В Id, А Rds, Ом Qg, нКл Tr, нС Ci, пФ Tj, гр.Ц КОРПУС
AOB11S65 SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB11S65L SMD N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-263
AOB15S65 SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB15S65L SMD N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-263
AOB25S65 SMD N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-263
AOB25S65L SMD N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-263
AOT11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT11S65L PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-220
AOT25S65 PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-220
AOT25S65L PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-220
AOW11S65 PTH N 198 650 30 4 11 0.399 - 20 42 150 TO-262
AOW15S65 PTH N 208 650 30 4 15 0.29 - 24 58 150 TO-262
AOW25S65 PTH N 357 650 30 4 25 0.19 - 30 87 150 TO-262
APQ10SN60A PTH N 156 600 30 4 10 0.75 - 32.3 162 150 TO-220
APQ10SN60AH PTH N 156 600 30 4 10 0.75 - 32.3 162 150 TO-220
HY12N65T PTH N 175 650 30 4 12 0.8 - 22.6 175 150 TO-220AB
SIHB12N65E SMD N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-263
SIHB22N65E SMD N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-263
SIHG22N60E PTH N 227 600 30 4 21 0.18 57 27 90 150 TO-247AC
SIHG22N65E PTH N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-247AC
SIHP12N65E PTH N 156 650 30 4 12 0.38 35 19 65 150 TO-220AB
SIHP22N65E PTH N 227 650 30 4 22 0.18 73 33 118 150 TO-220AB
TMP10N60 PTH N 198 600 30 4 10 0.75 36 39 160 150 TO-220
TMP12N60 PTH N 231 600 30 4 12 0.65 39 53 185 150 TO-220