Транзистор RU75170S

RU75170S - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TO-263

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 300 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 75 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 150 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.006 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 145 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 96 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 700 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор RU75170S можно заменить на:

Нет элементов для замены