Справочник электронных компонентов

Транзистор RU8080R

RU8080R - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-220

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 125 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 80 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 25 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 80 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.011 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 95 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 520 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор RU8080R можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
CS64N90	PTH	N	139	85	25	4	92	0.00745	106	18	442	175	TO-220
CS64N90B	SMD	N	139	85	25	4	92	0.00745	106	18	442	175	TO-263
CS64N90F	PTH	N	139	85	25	4	92	0.00745	106	18	442	175	TO-220F
RU80100R	PTH	N	188	80	25	4	100	0.0075	-	18	470	175	TO-220
RU80100S	SMD	N	188	80	25	4	100	0.0075	-	18	470	175	TO-263
RU8080S	SMD	N	125	80	25	4	80	0.011	-	95	520	175	TO-263
RU8590R	PTH	N	188	85	25	4	90	0.008	-	49	480	175	TO-220
STN80T08	PTH	N	200	80	25	4	80	0.011	80	13	450	175	TO-220