Транзистор RUM002N05T2L

RUM002N05T2L - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: VMT3

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.15 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.2 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.2 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 6 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 6 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RUM002N05T2L можно заменить на:

Нет элементов для замены