Транзистор RV1C002UN
RV1C002UN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: VML0806
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.15 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 4 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 5 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RV1C002UN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RV2C002UN |
SMD |
N |
0.1 |
20 |
10 |
1 |
0.18 |
2 |
- |
4 |
5 |
150 |
VML1006 |
| RV3C002UN |
SMD |
N |
0.1 |
20 |
10 |
1 |
0.15 |
2 |
- |
4 |
5 |
150 |
VML0604 |