Транзистор RVQ040N05TR

RVQ040N05TR - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: TSMT6

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.6 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 45 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 21 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.053 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 6.3 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 15 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 120 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор RVQ040N05TR можно заменить на:

Нет элементов для замены