Транзистор RW1C015UN
RW1C015UN - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: WEMT6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 10 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.13 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 5 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 18 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор RW1C015UN можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| RUF015N02 |
SMD |
N |
0.8 |
20 |
10 |
- |
1.5 |
0.13 |
- |
5 |
18 |
150 |
TUMT3 |