Транзистор SBSS84LT1G

SBSS84LT1G - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.225 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 50 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.13 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 10 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 2.2 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 9.7 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 17 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SBSS84LT1G можно заменить на:

Нет элементов для замены