Транзистор SDU04N60
SDU04N60 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TO-252
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 83 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 4 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 12 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 60 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: -
Транзистор SDU04N60 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFN04N60T220T |
PTH |
N |
100 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.4 |
8.16 |
26.2 |
57 |
150 |
TO-220 |
| AFN04N60T251T |
PTH |
N |
86 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.4 |
8.16 |
26.2 |
57 |
150 |
TO-251 |
| HFD5N60S |
SMD |
N |
91 |
600 |
30 |
4.5 |
4.3 |
2.5 |
10.5 |
45 |
60 |
150 |
DPAK |
| HFW5N60S |
SMD |
N |
100 |
600 |
30 |
4.5 |
4.5 |
2.5 |
10.5 |
45 |
60 |
150 |
D2PAK |
| SDD04N60 |
PTH |
N |
83 |
600 |
30 |
- |
4 |
2.6 |
12 |
- |
60 |
- |
TO-251 |
| TMD4N60 |
SMD |
N |
92.5 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.55 |
12 |
30 |
53 |
150 |
DPAK |
| TMU4N60 |
PTH |
N |
92.5 |
600 |
30 |
4 |
4 |
2.55 |
12 |
30 |
53 |
150 |
IPAK |