Транзистор SFF10N100M
SFF10N100M - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-254
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 1000 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 10 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 20 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 310 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SFF10N100M можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SFF10N100 |
PTH |
N |
250 |
1000 |
20 |
4.5 |
10 |
1.2 |
- |
20 |
310 |
175 |
TO-3 |
| SFF10N100B |
SMD |
N |
250 |
1000 |
20 |
4.5 |
10 |
1.2 |
- |
20 |
310 |
150 |
MILPACK2 |
| SFF10N100N |
PTH |
N |
150 |
1000 |
20 |
4.5 |
10 |
1.2 |
- |
20 |
310 |
150 |
TO-258 |
| SFF10N100P |
PTH |
N |
150 |
1000 |
20 |
4.5 |
10 |
1.2 |
- |
20 |
310 |
150 |
TO-259 |
| SFF10N100Z |
PTH |
N |
150 |
1000 |
20 |
4.5 |
10 |
1.2 |
- |
20 |
310 |
150 |
TO-254Z |