Справочник электронных компонентов

Транзистор SFF116N10M

SFF116N10M - Транзистор полевой MOSFET структуры N

Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
Корпус: TO-254

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 150 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 55 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.015 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 67 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 2050 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SFF116N10M можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AP80T10AGP-HF	PTH	N	166	100	20	5	75	0.0125	-	50	540	175	TO-220
IRFB4228PBF	PTH	N	330	150	30	5	83	0.015	71	59	550	175	TO-220AB
IRFS4115-7PPBF	SMD	N	380	150	20	5	105	0.0118	73	50	490	175	TO-263-CA7
IRFS4228PBF	SMD	N	330	150	30	5	83	0.015	71	59	550	175	TO-263
IRFSL4228PBF	PTH	N	330	150	30	5	83	0.015	71	59	550	175	TO-262
SFF116N10Z	PTH	N	150	100	20	5	55	0.015	-	67	2050	175	TO-254Z