Транзистор SFF20N60B

SFF20N60B - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: MILPACK2

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 600 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 20 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.35 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: 150 нКл
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 420 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 175 гр.Ц

Транзистор SFF20N60B можно заменить на:

Нет элементов для замены