Транзистор SFF25P20S2I-02
SFF25P20S2I-02 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SMD2
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 250 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 200 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 25 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.15 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 850 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SFF25P20S2I-02 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SFF25P20M |
PTH |
P |
250 |
200 |
20 |
5 |
25 |
0.15 |
- |
30 |
850 |
150 |
TO-254 |
| SFF25P20S2I-01 |
SMD |
P |
250 |
200 |
20 |
5 |
25 |
0.15 |
- |
30 |
850 |
150 |
SMD2 |
| SFF25P20S2I-03 |
SMD |
P |
250 |
200 |
20 |
5 |
25 |
0.15 |
- |
30 |
850 |
150 |
SMD2 |