Транзистор SFF801R2
SFF801R2 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: MILPACK
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 100 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 800 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 1.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 260 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SFF801R2 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP09N90W |
PTH |
N |
240 |
900 |
30 |
4 |
8.6 |
1.2 |
67.1 |
10.3 |
221 |
150 |
TO-3P |
| CS10N80A8D |
PTH |
N |
160 |
800 |
30 |
4 |
10 |
0.9 |
65 |
10 |
200 |
150 |
TO-220AB |
| SSM09N90GW |
PTH |
N |
240 |
900 |
30 |
4 |
8.6 |
1.2 |
67.1 |
10.3 |
221 |
150 |
TO-247 |