Транзистор SFP12N65
SFP12N65 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: с выводами для монтажа в плату через отверстия (PTH)
- Корпус: TO-220
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 178 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 650 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 12 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.78 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 51.7 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 50 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SFP12N65 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| HFP12N65U |
PTH |
N |
230 |
650 |
30 |
4.5 |
12 |
0.78 |
42 |
45 |
170 |
150 |
TO-220 |
| WFP12N65 |
PTH |
N |
250 |
650 |
30 |
4.5 |
12 |
0.78 |
51.7 |
50 |
155 |
150 |
TO-220 |