Транзистор SHD219504
SHD219504 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: LCC3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 347 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 400 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 14 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.3 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: 110 нКл
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 190 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 680 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SHD219504 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| STW56N65M2 |
PTH |
N |
358 |
650 |
25 |
4 |
49 |
0.062 |
93 |
27.5 |
160 |
150 |
TO-247 |
| STW56N65M2-4 |
PTH |
N |
358 |
650 |
25 |
4 |
49 |
0.062 |
93 |
27.5 |
160 |
150 |
TO-247-4 |
| TMAN23N50 |
PTH |
N |
347 |
500 |
30 |
4 |
23 |
0.22 |
66 |
64 |
357 |
150 |
TO-3PN |