Транзистор SHD219601
SHD219601 - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: LCC3P
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 390 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 75 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.025 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 60 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 1300 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SHD219601 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SHD225601 |
PTH |
N |
390 |
100 |
20 |
4 |
75 |
0.025 |
- |
60 |
1300 |
150 |
TO-254 |