Транзистор SHD231009
SHD231009 - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: LCC3
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 30 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): -
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.09 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 75 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SHD231009 можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| TP0610L |
PTH |
P |
0.8 |
60 |
30 |
2.4 |
0.18 |
20 |
- |
10 |
60 |
150 |
TO-92 |
| VP0610L |
PTH |
P |
0.8 |
60 |
30 |
3.5 |
0.18 |
20 |
- |
10 |
60 |
150 |
TO-92 |