Транзистор SI1002R
SI1002R - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-75A
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.22 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.61 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.56 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 13 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 9 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI1002R можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SI1036X |
SMD |
N |
0.22 |
30 |
8 |
1 |
0.61 |
0.54 |
- |
13 |
9 |
150 |
SC-89 |