Транзистор SI1012CR
SI1012CR - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-75A
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.24 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.63 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.396 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 16 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 14 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI1012CR можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AON1606 |
SMD |
N |
0.9 |
20 |
8 |
1 |
0.7 |
0.275 |
- |
4 |
12.5 |
150 |
DFN1.0X0.6A |