Транзистор SI1013CX
SI1013CX - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-89
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.19 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.45 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.76 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 15 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI1013CX можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AM1963PE |
SMD |
P |
0.34 |
60 |
20 |
1 |
0.57 |
0.7 |
1.1 |
5 |
11 |
150 |
SC-70 |
| AM2359PE |
SMD |
P |
1.3 |
60 |
20 |
1 |
1.2 |
0.7 |
1.1 |
5 |
11 |
150 |
SOT-23 |
| SI1023CX |
SMD |
P |
0.22 |
20 |
8 |
1 |
0.45 |
0.756 |
- |
10 |
15 |
150 |
SC-89 |