Транзистор SI1050X
SI1050X - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-89
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.236 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 8 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 5 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.9 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.34 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.086 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 190 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI1050X можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PMCM440VNE |
SMD |
N |
0.4 |
12 |
8 |
0.9 |
3.9 |
0.067 |
5.5 |
24 |
160 |
150 |
WLCSP4 |
| PMPB15XN |
SMD |
N |
1.7 |
20 |
12 |
0.9 |
7.3 |
0.021 |
13.4 |
24 |
145 |
150 |
DFN2020MD-6 |
| PMPB23XNE |
SMD |
N |
1.7 |
20 |
12 |
0.9 |
7 |
0.022 |
11.6 |
20 |
137 |
150 |
DFN2020MD-6 |
| PMPB29XNE |
SMD |
N |
1.7 |
30 |
12 |
0.9 |
5 |
0.033 |
12.4 |
17 |
110 |
150 |
DFN2020MD-6 |
| PMV16XN |
SMD |
N |
0.51 |
20 |
12 |
0.9 |
6.8 |
0.02 |
13.4 |
24 |
145 |
150 |
TO-236AB |
| PMV20XNE |
SMD |
N |
0.51 |
30 |
12 |
0.9 |
5.7 |
0.023 |
12.4 |
17 |
110 |
150 |
TO-236AB |
| PMV30UN2 |
SMD |
N |
0.49 |
20 |
12 |
0.9 |
4.2 |
0.032 |
6.2 |
26 |
70 |
150 |
TO-236AB |
| PMV40UN2 |
SMD |
N |
0.49 |
30 |
12 |
0.9 |
3.7 |
0.044 |
7 |
23 |
40 |
150 |
TO-236AB |
| PMXB40UNE |
SMD |
N |
0.4 |
12 |
8 |
0.9 |
3.2 |
0.045 |
6.6 |
21 |
107 |
150 |
DFN1010D-3 |
| PMXB43UNE |
SMD |
N |
0.4 |
20 |
8 |
0.9 |
3.2 |
0.054 |
5.7 |
20 |
57 |
150 |
DFN1010D-3 |
| SI8472DB |
SMD |
N |
0.78 |
20 |
8 |
0.9 |
3.3 |
0.044 |
- |
15 |
105 |
150 |
MicroFOOT |
| SI8810EDB |
SMD |
N |
0.5 |
20 |
8 |
0.9 |
2.1 |
0.072 |
- |
12 |
55 |
150 |
MicroFOOT |