Транзистор SI1069X
SI1069X - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SC-89
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.236 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.94 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.184 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 31 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 78 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI1069X можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SI1403CDL |
SMD |
P |
0.6 |
20 |
12 |
1.5 |
1.6 |
0.14 |
- |
17 |
73 |
150 |
SOT-363 |
| SQ2351ES |
SMD |
P |
2 |
20 |
12 |
1.5 |
3.2 |
0.115 |
3.4 |
18 |
75 |
175 |
TO-236 |