Транзистор SI1070X

SI1070X - Транзистор полевой MOSFET структуры N

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SC-89

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.236 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.55 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.2 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.099 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 22 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 55 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SI1070X можно заменить на:

Нет элементов для замены