Транзистор SI1411DH
SI1411DH - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-363
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 150 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 4.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 0.42 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 2.6 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 11 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI1411DH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| SI2325DS |
SMD |
P |
1.25 |
150 |
20 |
4.5 |
0.69 |
1 |
- |
11 |
30 |
150 |
SOT-23 |
| SI7117DN |
SMD |
P |
3.2 |
150 |
20 |
4.5 |
1.1 |
1.2 |
- |
11 |
30 |
150 |
PowerPAK1212-8 |
| SI7317DN |
SMD |
P |
3.2 |
150 |
30 |
4.5 |
1.1 |
1.2 |
- |
11 |
15 |
150 |
PowerPAK1212-8 |