Транзистор SI1480DH
SI1480DH - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-363
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.5 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 100 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.1 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.2 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 45 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 54 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI1480DH можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| APM1110K |
SMD |
N |
2.5 |
100 |
20 |
3 |
2.7 |
0.18 |
- |
10 |
36 |
150 |
SOP-8 |
| SIB456DK |
SMD |
N |
2.4 |
100 |
20 |
3 |
2.7 |
0.185 |
3.3 |
45 |
54 |
150 |
SC-75-6L |
| ST10E4 |
SMD |
N |
1.5 |
100 |
20 |
3 |
3 |
0.16 |
10 |
10 |
43 |
150 |
SOT-23 |