Справочник электронных компонентов

Транзистор SI2307BDS

SI2307BDS - Транзистор полевой MOSFET структуры P

Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.25 Вт
Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.2 А
Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.063 Ом
Общий заряд затвора, Qg: -
Время нарастания импульса открытия, Tr: 12 нС
Входная емкость (затвор-исток), Ci: 100 пФ
Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SI2307BDS можно заменить на:

НАЗВАНИЕ	ТИП	СТР.	Pd, Вт	Vds, В	Vgs, В	Vgsth, В	Id, А	Rds, Ом	Qg, нКл	Tr, нС	Ci, пФ	Tj, гр.Ц	КОРПУС
AFP2317	SMD	P	1.25	40	20	3	3.6	0.052	10	8	95	150	SOT-23
AP2309GEN	SMD	P	1.25	30	20	3	4	0.052	-	4.5	100	150	SOT-23S
AP2615GEY	SMD	P	2	30	20	3	5	0.052	-	4.5	100	150	SOT-26
AP9435GM	SMD	P	2.5	30	20	3	5.3	0.05	-	7.7	80	150	SO-8
CHM9535JGP	SMD	P	2.5	30	20	3	5	0.06	9.5	3	91	150	SO-8
MDS3754ARH	SMD	P	2.5	40	20	3	6	0.045	-	7.2	100	150	SOIC-8
MMP9435	SMD	P	2.5	30	20	3	5.3	0.06	9	2.8	66	150	SOP-8
TSM3457CX6	SMD	P	2	30	20	3	5	0.06	9.52	2.33	90.96	150	SOT-26
TSM9435CS	SMD	P	2.5	30	20	3	5.3	0.06	9.52	2.33	90.96	150	SOP-8