Транзистор SI2309CDS

SI2309CDS - Транзистор полевой MOSFET структуры P

• Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
• Корпус: SOT-23

Основные характеристики:

• Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
• Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 60 В
• Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
• Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
• Максимальный постоянный ток стока, Id: 1.2 А
• Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.345 Ом
• Общий заряд затвора, Qg: -
• Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
• Входная емкость (затвор-исток), Ci: 28 пФ
• Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц

Транзистор SI2309CDS можно заменить на:

Нет элементов для замены