Транзистор SI2311DS
SI2311DS - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 0.71 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 8 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.8 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.045 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: -
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 485 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI2311DS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AFP9434WS |
SMD |
P |
2.8 |
20 |
12 |
0.8 |
6.5 |
0.042 |
10 |
8 |
200 |
150 |
SOP-8P |
| SI2305ADS |
SMD |
P |
0.96 |
8 |
8 |
0.8 |
4.1 |
0.04 |
- |
35 |
290 |
150 |
SOT-23 |
| SI2305DS |
SMD |
P |
1.25 |
8 |
8 |
0.8 |
3.5 |
0.044 |
- |
25 |
375 |
150 |
SOT-23 |
| SI8483DB |
SMD |
P |
2.77 |
12 |
10 |
0.8 |
8.7 |
0.026 |
- |
25 |
410 |
150 |
MicroFOOT |