Транзистор SI2315BDS
SI2315BDS - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.19 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 12 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 8 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.9 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 3.85 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.04 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 35 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 275 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI2315BDS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO6411 |
SMD |
P |
2.7 |
20 |
8 |
0.9 |
7 |
0.0285 |
- |
30 |
167 |
150 |
TSOP-6 |
| AON2405 |
SMD |
P |
2.8 |
20 |
8 |
0.9 |
8 |
0.032 |
- |
28 |
167 |
150 |
DFN2X2B |
| ST2341S23RG |
SMD |
P |
1.25 |
20 |
12 |
0.9 |
5.3 |
0.04 |
8 |
35 |
160 |
150 |
SOT-23 |