Транзистор SI2351DS
SI2351DS - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 20 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 12 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 1.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 2.2 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.115 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 30 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 80 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI2351DS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| KI2351DS |
SMD |
P |
1 |
20 |
12 |
1.5 |
2.2 |
0.115 |
3.4 |
30 |
80 |
150 |
SOT-23 |
| SI3451DV |
SMD |
P |
1.25 |
20 |
12 |
1.5 |
2.6 |
0.115 |
- |
30 |
80 |
150 |
TSOP-6 |
| SI3805DV |
SMD |
P |
1.1 |
20 |
12 |
1.5 |
3 |
0.084 |
- |
10 |
80 |
150 |
TSOP-6 |
| SI4823DY |
SMD |
P |
1.7 |
20 |
12 |
1.5 |
3.3 |
0.108 |
- |
10 |
80 |
150 |
SO-8 |
| SQ2351ES |
SMD |
P |
2 |
20 |
12 |
1.5 |
3.2 |
0.115 |
3.4 |
18 |
75 |
175 |
TO-236 |