Транзистор SI2372DS
SI2372DS - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: SOT-23
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.7 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 2.5 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.033 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 17 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 73 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI2372DS можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| PV606BA |
SMD |
N |
1.8 |
30 |
20 |
2.5 |
7.7 |
0.018 |
- |
15 |
68 |
150 |
SOP-8 |
| QM6004S |
SMD |
N |
3.5 |
60 |
20 |
2.5 |
8 |
0.03 |
12.56 |
14.2 |
72.5 |
150 |
SOP-8 |
| RQ3E070BN |
SMD |
N |
2 |
30 |
20 |
2.5 |
7 |
0.027 |
8.9 |
8 |
50 |
150 |
HSMT8 |