Транзистор SI3417DV
SI3417DV - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSOP-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 7.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0252 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 8 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 215 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI3417DV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AP4411GM-HF |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
25 |
3 |
8.2 |
0.025 |
- |
8 |
190 |
150 |
SO-8 |
| AP4835GM-HF |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
9.2 |
0.02 |
- |
6.6 |
195 |
150 |
SO-8 |
| SI4435DDY |
SMD |
P |
2.5 |
30 |
20 |
3 |
8.1 |
0.024 |
- |
8 |
215 |
150 |
SO-8 |
| SI7619DN |
SMD |
P |
3.5 |
30 |
20 |
3 |
10.5 |
0.021 |
- |
8 |
215 |
150 |
PowerPAK1212-8 |