Транзистор SI3421DV
SI3421DV - Транзистор полевой MOSFET структуры P
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSOP-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 2 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 3 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 8.3 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.0192 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 9 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: 256 пФ
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI3421DV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| AO4335 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
3 |
10.5 |
0.014 |
- |
8.5 |
240 |
150 |
SOP-8 |
| AO4435 |
SMD |
P |
3.1 |
30 |
25 |
3 |
10.5 |
0.018 |
- |
8.5 |
240 |
150 |
SO-8 |