Транзистор SI3424DV
SI3424DV - Транзистор полевой MOSFET структуры N
- Тип исполнения: для поверхностного монтажа на плату (SMD)
- Корпус: TSOP-6
Основные характеристики:
- Максимальная рассеиваемая мощность стока, Pd: 1.14 Вт
- Максимальное напряжение сток-исток, Vds: 30 В
- Максимальное напряжение затвор-исток, Vgs: 20 В
- Пороговое напряжение включения, Vgs(th): 0.8 В
- Максимальный постоянный ток стока, Id: 5 А
- Сопротивление открытого перехода сток-исток, Rds: 0.028 Ом
- Общий заряд затвора, Qg: -
- Время нарастания импульса открытия, Tr: 10 нС
- Входная емкость (затвор-исток), Ci: -
- Максимальная рабочая температура канала, Tj: 150 гр.Ц
Транзистор SI3424DV можно заменить на:
| НАЗВАНИЕ |
ТИП |
СТР. |
Pd, Вт |
Vds, В |
Vgs, В |
Vgsth, В |
Id, А |
Rds, Ом |
Qg, нКл |
Tr, нС |
Ci, пФ |
Tj, гр.Ц |
КОРПУС |
| KI4300DY |
SMD |
N |
1.38 |
30 |
20 |
0.8 |
6.4 |
0.0185 |
8.7 |
8 |
- |
150 |
SOP-8 |
| SI4800 |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
20 |
0.8 |
9 |
0.0185 |
- |
7 |
- |
150 |
SO-8 |
| SI4886DY |
SMD |
N |
1.56 |
30 |
20 |
0.8 |
9.5 |
0.01 |
- |
5 |
- |
150 |
SO-8 |
| SI4890DY |
SMD |
N |
2.5 |
30 |
25 |
0.8 |
11 |
0.012 |
- |
8.5 |
- |
150 |
SO-8 |